參數(shù)資料
型號(hào)： MTD10N10ELG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： MTD10N10ELG
MTD10N10EL
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0.00001
0.0001
0.01
0.001
0.1
1.0
10
0.01
0.1
0.2
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.05
1.0
D = 0.5
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
ASE
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
ID = 10A
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
100
10
1
0.1
1
10
100
100 ms
10 ms
1 ms
10 ms
dc
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
40
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD10N10EL 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD10N10ELT4 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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MTD12N06EZLT4 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD12N06EZL 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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