參數(shù)資料
型號： MTD10N10ELG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： MTD10N10ELG
MTD10N10EL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
DI
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
10
5
0
02
5
3
1
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS = 10 V
7 V
3.5 V
4 V
5 V
TJ = 25°C
DI
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
5
0
12
3
4
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VDS ≥ 5 V
55°C
TJ = 100°C
4
15
20
4.5 V
25°C
15
20
3 V
2 V
10
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
VGS = 5 V
10 V
0.25
0.2
510
15
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0.35
0.25
0.15
0.05
05
10
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 10 V
TJ = 25°C
100°C
55°C
0.15
0.1
0
15
20
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
VGS = 0 V
040
60
1
100
20
1
TJ = 125°C
10
100°C
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
VGS = 5 V
ID = 5 A
50
0
50
100
150
125
25
75
2
1.5
1
0.5
0
80
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PDF描述
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