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參數(shù)資料
| 型號： | MT48V8M16LFF4-10XT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 30/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
| 代理商： | MT48V8M16LFF4-10XT |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
36
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 34: WRITE With Auto Precharge Interrupted by a WRITE
DON’T CARE
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
WRITE - AP
BANK n
NOP
DIN
d + 1
DIN
d
DIN
a + 1
DIN
a + 2
DIN
a
DIN
d + 2
DIN
d + 3
NOP
T7
BANK n
BANK m
ADDRESS
NOP
NOTE: 1. DQM is LOW.
BANK n,
COL a
BANK m,
COL d
WRITE - AP
BANK m
Internal
States
t
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back
Precharge
Page Active
WRITE with Burst of 4
Write-Back
WR - BANK n
tRP - BANK n
t WR - BANK m
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256V36PT-6 | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| MT5C2561EC-45IT | 256K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CQCC28 |
| M378T3253FG0-CE6 | 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| M93C06-DS3TG | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFF4-8 XT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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