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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V32M8FG-6TIT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 48/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
50
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Commands
WRITE
The WRITE command is used to initiate a burst write access to an active row as shown in
Figure 19. The value on the BA0, BA1 inputs selects the bank, and the address provided
on inputs A0–Ai (where Ai is the most significant column address bit for a given density
and configuration, see Table 2 on page 2) selects the starting column location.
Figure 19:
WRITE Command
Note:
EN AP = enable auto precharge; and DIS AP = disable auto precharge.
CS#
WE#
CAS#
RAS#
CKE
A10
BA0, BA1
HIGH
CK
CK#
Don’t Care
Address
Col
EN AP
DIS AP
Bank
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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