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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46HC32M16LGCM-54IT:B |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 73/98頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3258K |
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Figure 36: Consecutive WRITE-to-WRITE
CK
CK#
Command
WRITE1, 2
NOP
WRITE1, 2
NOP
Address
Bank,
Col b
NOP
Bank,
Col n
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T3n
T1n
DQ3
DQS
DM
Don’t Care
Transitioning Data
tDQSS (NOM)
DIN
Notes: 1. Each WRITE command can be to any bank.
2. An uninterrupted burst of 4 is shown.
3. DINb (n) = data-in for column b (n).
Figure 37: Nonconsecutive WRITE-to-WRITE
CK
CK#
Command
WRITE1,2
NOP
Address
Bank,
Col b
Bank,
Col n
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T1n
T5n
DQ3
DQS
DM
tDQSS (NOM)
Don’t Care
Transitioning Data
DIN
WRITE1,2
DIN
Notes: 1. Each WRITE command can be to any bank.
2. An uninterrupted burst of 4 is shown.
3. DINb (n) = data-in for column b (n).
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef82d5d305
512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf – Rev. I 12/09 EN
75
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