- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299522 > MT46HC32M16LGCM-54IT:B 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MT46HC32M16LGCM-54IT:B |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數： | 40/98頁 |
| 文件大小： | 3258K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁當前第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁
From
Command
To Command
Minimum Delay
(with Concurrent Auto
Precharge)
READ with
Auto Precharge
READ or READ with auto precharge
WRITE or WRITE with auto precharge
PRECHARGE
ACTIVE
(BL/2) × tCK
[CL + (BL/2)] tCK
1 tCK
4. AUTO REFRESH and LOAD MODE REGISTER commands can only be issued when all
banks are idle.
5. All states and sequences not shown are illegal or reserved.
6. Requires appropriate DM masking.
7. A WRITE command can be applied after the completion of the READ burst; otherwise, a
BURST TERMINATE must be used to end the READ burst prior to asserting a WRITE com-
mand.
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Truth Tables
PDF: 09005aef82d5d305
512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf – Rev. I 12/09 EN
45
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H32M16BT-37VL:A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| MT47H64M16HQ-3IT:G | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT46V128M4 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。