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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT28F640J3BS-12MET |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 49/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 587K |
| 代理商： | MT28F640J3BS-12MET |
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128Mb, 64Mb, 32Mb
Q-FLASH MEMORY
09005aef80b5a323
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice..
MT28F640J3_J.fm – Rev. J 2/26/04 EN
53
2004 Micron Technology, Inc
8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-3900
E-mail: prodmktg@micron.com, Internet: http://www.micron.com, Customer Comment Line: 800-932-4992
Micron, the M logo, the Micron logo, and Q-Flash are trademarks of Micron Technology, Inc.
All other trademarks are the property of their respective owners.
Figure 25: 64-Ball FBGA
NOTE:
All dimensions in millimeters.
Data Sheet Designation
No Marking: This data sheet contains minimum and maximum limits specified over the complete power
supply and temperature range for production devices. Although considered final, these specifications are sub-
ject to change, as further product development and data characterization sometimes occur.
0.08 C
SEATING PLANE
C
0.850 ±0.075
64X
0.45
BALL A8
7.00 ±0.05
3.50 ±0.05
5.00 ±0.05
13.00 ±0.10
6.50 ±0.05
BALL A1 ID
1.20 MAX
BALL A1
1.00 TYP
7.00
10.00 ±0.10
MOLD COMPOUND: EPOXY NOVOLAC
SUBSTRATE: PLASTIC LAMINATE
SOLDER BALL MATERIAL: EUTECTIC 63% Sn, 37% Pb or
62% Sn, 36% Pb, 2%Ag
SOLDER BALL PAD: .33mm
SOLDER BALL DIAMETER
REFERS TO POST REFLOW
CONDITION. THE PRE-
REFLOW DIAMETER IS 0.40
CL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT29F4G08FABWGXXXXET | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| MT2LSYT3272T1G-11P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160 |
| MT2LSYT3272T1G-12P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160 |
| MT333X | GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK |
| MT36JBZS51272PIY-1G3XX | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT28F640J3FS-11 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY |
| MT28F640J3FS-115 ET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND Flash Parallel 3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 115ns 64-Pin FBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA |
| MT28F640J3FS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| MT28F640J3FS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3FS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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