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參數(shù)資料
| 型號： | MT28F640J3BS-12MET |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 44/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 587K |
| 代理商： | MT28F640J3BS-12MET |
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128Mb, 64Mb, 32Mb
Q-FLASH MEMORY
09005aef80b5a323
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT28F640J3_J.fm – Rev. J 2/26/04 EN
49
2004 Micron Technology. Inc.
NOTE:
1. Typical values measured at TA = +25C and nominal voltages. Assumes corresponding lock bits are not set. Subject to
change based on device characterization.
2. These performance numbers are valid for all speed versions.
3. Sampled, but not 100 percent tested.
4. Excludes system-level overhead.
5. These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6. Effective per-byte program time is 5.6s/byte (typical).
7. Effective per-word program time is 11.2s/word (typical).
8. MAX values are measured at worst-case temperature and VCC corner after 100,000 cycles.
Table 29:
Block Erase, Program and Lock Bit Configuration Performance
Notes: 1, 2, 3; extended temperature (-40C
≤ T
A ≤ +85C)
PARAMETER
SYM
32Mb
64Mb
128Mb
UNITS
NOTES
TYP
MAX8
TYP
MAX8
Write Buffer Byte Program Time
(Time to Program 32 bytes/16 words)
tWED1
200
654
180
654
s
4, 5,
Byte/Word Program Time (Using WORD/BYTE PROGRAM
Command)
tWED2
12.5
630
11.2
630
s
Block Program Time (Using WRITE-to-BUFFER Command)
tWED3
0.8
1.7
0.7
1.7
sec
Block Erase Time
tWED4
0.7550.755
sec
Set Lock Bits Time
tWED5
14
75
10
75
s
Clear Block Lock Bits Time
tWED6
0.5
0.7
0.5
0.7
sec
Program Suspend Latency Time to Read
tLPS
25
30
25
30
s
Erase Suspend Latency Time to Read
tLES
26
35
25
35
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT29F4G08FABWGXXXXET | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| MT2LSYT3272T1G-11P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160 |
| MT2LSYT3272T1G-12P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160 |
| MT333X | GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK |
| MT36JBZS51272PIY-1G3XX | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT28F640J3FS-11 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY |
| MT28F640J3FS-115 ET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND Flash Parallel 3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 115ns 64-Pin FBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA |
| MT28F640J3FS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| MT28F640J3FS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3FS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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