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參數(shù)資料
| 型號： | MT18HTF12872DG-40EXX |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240 |
| 封裝： | DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 15/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 717K |
| 代理商： | MT18HTF12872DG-40EXX |
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512MB, 1GB, 2GB (x72, DR, REGISTERED)
PC2-3200, PC2-4300, 240-Pin DDR2 SDRAM DIMM
PRELIMINARY
09005aef80e934a6
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
HTF18C64_128_256x72DG_A.fm - Rev. A 10/03 EN
22
2003 Micron Technology. Inc.
Table 17:
Capacitance
Parameters are sampled; VDD = +1.8V ±0.1V, VDDQ = +1.8V ±0.1V, VREF = VSS, f = 100 MHz, 0°C
TOPR +55°C, VOUT (DC) =
VDDQ/2, VOUT (peak to peak) = 0.1V; DM input is grouped with I/O pins, reflecting the fact that they are matched in loading
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
Input Capacitance: CK, CK#
CI1
2.0
3.0
pF
Input Capacitance: BA0–BA2, A0–A13, RAS#, CAS#, WE#, S#, CKE, ODT
CI2
2.5
3.5
pF
Input/Output Capacitance: DQ, DQS, DM
CIO
5.0
8.0
pF
Table 18:
AC Operating Conditions
TOPR +55°C; VDDQ = +1.8V ±0.1V, VDD = +1.8V ±0.1V
AC CHARACTERISTICS
-53E
-40E
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS NOTES
Cloc
k
Clock cycle time
CL = 4
tCK (4)
3,750
8,000
5,000
8,000
ps
CL = 3
tCK (3)
5,000
8,000
–
ps
CK high-level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK low-level width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
Half clock period
tHP
MIN
(tCH, tCL)
MIN
(tCH, tCL)
ps
Clock jitter
tJIT
TBD
ps
Da
ta
DQ output access time from CK/CK#
tAC
-500
+500
-600
+600
ps
Data-out high-impedance window from CK/
CK#
tHZ
tAC MAX
ps
Data-out low-impedance window from CK/
CK#
tLZ
tAC MIN tAC MAX tAC MIN tAC MAX
ps
DQ and DM input setup time relative to
DQS
tDS
100
150
ps
DQ and DM input hold time relative to DQS
tDH
225
275
ps
DQ and DM input pulse width (for each
input)
tDIPW
0.35
tCK
Data hold skew factor
tQHS
400
450
ps
DQ–DQS hold, DQS to first DQ to go
nonvalid, per access
tQH
tHP -tQHS
ps
Data valid output window (DVW)
tDVW
tQH -
tDQSQ
tQH -
tDQSQ
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT18HTF12872G-40EC2 | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240 |
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| MT28C128532W30DFW-F706P85BBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128564W30DBW-F706P85KBTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128532W30EFW-F705-P856KBBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MT18HTF12872DY-40ED3 | 功能描述:MODULE DDR2 1GB 240-DIMM RoHS:是 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標準包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM |
| MT18HTF12872DY-53EB1 | 功能描述:MODULE SDRAM DDR2 1GB 240DIMM RoHS:是 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標準包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM |
| MT18HTF12872DY-53ED3 | 功能描述:MODULE DDR2 1GB 240-DIMM RoHS:是 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標準包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM |
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