參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 123K
代理商： MRFG35003N6T1
MRFG35003N6T1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA (continued)
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2.8
0.946
151.55
0.787
34.63
0.022
4.64
0.836
152.55
2.85
0.946
150.81
0.778
33.54
0.023
3.61
0.836
152.02
2.9
0.945
150.11
0.770
32.46
0.023
2.16
0.837
151.54
2.95
0.945
149.30
0.762
31.37
0.023
1.54
0.835
150.98
3
0.945
148.44
0.754
30.25
0.023
1.03
0.835
150.40
3.05
0.944
147.58
0.747
29.09
0.023
0.48
0.837
149.89
3.1
0.943
146.55
0.739
27.89
0.023
0.15
0.835
149.35
3.15
0.943
145.54
0.732
26.69
0.023
-0.33
0.834
148.72
3.2
0.944
144.52
0.725
25.53
0.023
-0.41
0.836
148.13
3.25
0.941
143.47
0.718
24.33
0.023
-0.52
0.835
147.62
3.3
0.941
142.43
0.711
23.09
0.023
-1.22
0.834
147.01
3.35
0.941
141.33
0.704
21.89
0.023
-1.40
0.834
146.44
3.4
0.940
140.22
0.697
20.67
0.024
-1.31
0.834
145.89
3.45
0.939
139.25
0.689
19.44
0.024
-1.58
0.832
145.40
3.5
0.940
138.09
0.682
18.26
0.024
-1.85
0.833
144.66
3.55
0.940
137.05
0.675
17.08
0.024
-2.29
0.834
144.11
3.6
0.939
136.07
0.668
15.88
0.025
-2.75
0.832
143.59
3.65
0.941
135.06
0.661
14.68
0.025
-3.55
0.831
142.91
3.7
0.939
134.20
0.653
13.50
0.025
-4.69
0.832
142.34
3.75
0.939
133.35
0.646
12.39
0.025
-5.45
0.831
141.92
3.8
0.939
132.47
0.639
11.29
0.025
-6.34
0.830
141.27
3.85
0.940
131.67
0.632
10.20
0.025
-6.85
0.831
140.64
3.9
0.939
130.89
0.625
9.15
0.025
-6.90
0.831
140.02
3.95
0.940
130.26
0.619
8.10
0.025
-6.60
0.830
139.40
4
0.941
129.57
0.613
7.10
0.025
-6.63
0.830
138.76
4.05
0.941
128.98
0.608
6.11
0.026
-6.67
0.831
138.17
4.1
0.942
128.44
0.602
5.10
0.026
-7.00
0.830
137.56
4.15
0.942
128.03
0.598
4.14
0.026
-7.30
0.828
136.87
4.2
0.941
127.57
0.593
3.17
0.027
-7.73
0.828
136.20
4.25
0.940
127.14
0.589
2.15
0.027
-8.12
0.827
135.56
4.3
0.941
126.75
0.585
1.21
0.027
-8.11
0.826
134.85
4.35
0.941
126.39
0.581
0.25
0.027
-8.33
0.826
134.13
4.4
0.939
125.97
0.578
-0.74
0.028
-8.73
0.825
133.44
4.45
0.939
125.64
0.575
-1.67
0.028
-8.92
0.823
132.68
4.5
0.939
125.36
0.573
-2.59
0.029
-9.42
0.823
131.92
4.55
0.938
124.98
0.571
-3.50
0.029
-9.66
0.823
131.23
4.6
0.938
124.55
0.570
-4.53
0.030
-10.28
0.822
130.45
4.65
0.938
124.20
0.571
-5.52
0.030
-10.87
0.821
129.60
4.7
0.937
123.76
0.570
-6.60
0.031
-11.91
0.821
128.79
4.75
0.935
123.17
0.569
-7.76
0.031
-13.22
0.819
127.98
4.8
0.935
122.58
0.569
-8.89
0.031
-14.16
0.817
127.09
4.85
0.934
121.93
0.570
-9.98
0.031
-14.45
0.817
126.23
4.9
0.932
121.14
0.570
-11.17
0.032
-14.82
0.816
125.41
4.95
0.932
120.43
0.571
-12.37
0.032
-14.82
0.815
124.46
5
0.929
119.55
0.573
-13.61
0.032
-14.83
0.815
123.55
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35003NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35005MR5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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