參數(shù)資料
型號： MRFG35003N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： MRFG35003N6T1
MRFG35003N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
60
0
0.1
60
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
ACPR
(dBc)
VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.898é132.18_, ΓL = 0.883é134.70_
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
10
20
30
40
50
1
8
12
0.1
0
40
GT
PAE
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
,POWER
ADDED
EFFICIENCY
(%)
PA
E
G
T
,TRANSDUCER
GAIN
(dB)
VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.898é132.18_, ΓL = 0.883é134.70_
11.5
35
11
30
10.5
25
10
20
9.5
15
910
8.5
5
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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