參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： MRFG35003N6T1
MRFG35003N6T1 replaced by MRFG35003N6AT1.
MRFG35003N6T1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Character-
ized from 0.5 to 5.0 GHz. Device is unmatched and is characterized for use in
Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 6 Volts,
IDQ = 180 mA
Output Power — 450 mWatts
Power Gain — 9 dB
Efficiency — 24%
3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
8
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
22.7 (2)
0.15 (2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
24
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
6.6 (2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
Document Number: MRFG35003N6
Rev. 6, 1/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 3 W, 6 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35003N6T1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35005MR5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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