參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 123K
代理商： MRFG35003N6T1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6T1
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
2.9
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS = 6 Vdc, VGS = -1.9 Vdc)
IDSO
—
0.02
1.0
mAdc
Off State Current
(VDS = 20 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
1.0
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-1.0
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.9
-0.7
Vdc
Power Gain
(VDD = 6 Vdc, IDQ = 180 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
8
9
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD = 6 Vdc, IDQ = 180 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
—
3
—
W
Drain Efficiency
(VDD = 6 Vdc, IDQ = 180 mA, Pout = 450 mW, f = 3.55 GHz.
Tune for Maximum Pout)
hD
22
24
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD = 6 Vdc, Pout = 450 mW Avg., IDQ = 180 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-42
-38
dBc
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
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參數(shù)描述
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