參數(shù)資料
型號: MRFG35003N6T1
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 123K
代理商: MRFG35003N6T1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6T1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.5
0.954
-176.79
3.859
84.89
0.016
9.07
0.847
178.96
0.55
0.953
-177.98
3.527
83.61
0.016
8.90
0.846
178.38
0.6
0.952
-179.13
3.250
82.29
0.016
8.49
0.846
177.74
0.65
0.952
179.80
3.019
80.95
0.016
8.44
0.845
177.07
0.7
0.952
178.89
2.818
79.74
0.016
8.51
0.844
176.28
0.75
0.951
177.96
2.643
78.49
0.016
8.53
0.844
175.55
0.8
0.952
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2.491
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0.017
8.75
0.843
174.77
0.85
0.952
176.22
2.354
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0.017
8.61
0.842
173.93
0.9
0.951
175.46
2.234
74.67
0.017
8.62
0.842
173.12
0.95
0.951
174.66
2.124
73.38
0.017
8.56
0.841
172.27
1
0.952
173.92
2.025
72.17
0.017
8.48
0.841
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0.017
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1.1
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1.851
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0.017
8.90
0.840
168.89
1.2
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170.90
1.704
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8.79
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170.06
1.638
65.98
0.018
8.80
0.841
167.34
1.3
0.951
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1.576
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2
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158.25
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8.02
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1.000
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153.16
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關PDF資料
PDF描述
MRFG35003NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
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參數(shù)描述
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MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
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MRFG35005MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR