參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6522-70R3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-600, CASE 465D-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 336K
代理商： MRF6522-70R3
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6522--70R3
Table 3. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain--Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 Vdc, ID = 20 Adc)
V(BR)DSS
65
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
10
Adc
Gate--Source Leakage Current
(VGS = 20 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
1
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 Vdc, ID = 300 Adc)
VGS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 Vdc, ID = 400 mAdc)
VGS(Q)
3
4
5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 1 Adc)
VDS(on)
—
0.15
0.6
Vdc
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 2 Adc)
gfs
2
3
—
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (1)
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
—
130
—
pF
Output Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Coss
41
47
52
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
2.4
3
3.4
pF
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)
Output Power
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 400 mA, f = 940 MHz)
P1dB
73
80
—
W
Common--Source Amplifier Power Gain @ P1dB (Min)
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 400 mA, f = 940 MHz)
Gps
14
16
18
dB
Drain Efficiency @ Pout = 50 W
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 400 mA, f = 940 MHz)
η1
47
51
—
%
Drain Efficiency @ P1dB
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 400 mA, f = 940 MHz)
η2
—
58
—
%
Input Return Loss @ Pout = 50 W
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 400 mA, f = 940 MHz)
IRL
—
--15
dB
1. Value excludes the input matching.
L
IF
E
T
IM
E
B
U
Y
L
A
S
T
O
R
D
E
R
3
O
C
T
0
8
L
A
S
T
S
H
IP
1
4
M
A
Y
0
9
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PDF描述
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