參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6522-70R3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-600, CASE 465D-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 336K
代理商： MRF6522-70R3
MRF6522--70R3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistor
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband
performance of this device make it ideal for large--signal, common source
amplifier applications in 26 volt base station equipment.
Specified Performance @ 940 MHz, 26 Volts
Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ)
Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ)
Efficiency @ P1dB — 58% (Typ)
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 50 Watts CW Output
Power
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain--Source Voltage
VDSS
--0.5, +65
Vdc
Gate--Source Voltage
VGS
±
20
Vdc
Drain Current — Continuous
ID
7
Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
159
0.9
W
W/°C
Storage Temperature Range
Tstg
--65 to +150
°
C
Case Operating Temperature
TC
150
°
C
Operating Junction Temperature
TJ
200
°
C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
1.1
°
C/W
NOTE -- CAUTION -- MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
Document Number: MRF6522--70
Rev. 9, 10/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRF6522--70R3
920--960 MHz, 70 W, 26 V
LATERAL N--CHANNEL
RF POWER MOSFET
CASE 465D--05, STYLE 1
NI--600
L
IF
E
T
IM
E
B
U
Y
L
A
S
T
O
R
D
E
R
3
O
C
T
0
8
L
A
S
T
S
H
IP
1
4
M
A
Y
0
9
Freescale Semiconductor, Inc., 2008. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF652S UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF653S UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
MRF6P24190HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S24140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6V10010NR4 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF6522--70R3 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6522-70R3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70R3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF652-A 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF652S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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