參數(shù)資料
型號： MRF5S9080NR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大?。?/td> 753K
代理商： MRF5S9080NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance — 900 MHz
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
845
865
5.31 - j5.59
5.05 - j1.99
6.07 - j4.16
1.18 - j0.34
1.09 - j0.29
1.22 - j0.29
V
DD
=
26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 80 W CW
Z
o
= 10
Ω
f = 990 MHz
f = 990 MHz
f = 845 MHz
f = 845 MHz
890
920
3.47 - j0.81
1.10 - j0.21
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
2.64 - j0.88
1.05 - j0.15
960
990
1.89 - j1.14
0.91 - j0.18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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