參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9080NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/20頁(yè)
文件大小： 753K
代理商： MRF5S9080NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
G
p
,
1000
1
0
70
G
ps
T
C
= 30 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
f = 940 MHz
25 C
85 C
25 C
85 C
100
10
60
50
40
30
20
10
14
21
20
19
18
17
16
15
980
0
6
900
P
out
= 53 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. EVM versus Frequency
E
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 550 mA
13 W Avg.
3 W Avg.
5
4
3
2
1
910
920
930
940
950
960
970
η
D
100
0
1
0
EVM
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
E
T
C
= 85 C
25 C
30 C
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
8
80
6
60
4
40
20
2
10
980
90
50
900
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
S
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 550 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
60
70
80
910
920
930
940
950
960
970
P
out
= 53 W Avg.
13 W Avg.
3 W Avg.
η
D
,
η
D
,
η
D
30 C
100
80
45
0
T
C
= 85 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 11. Spectral Regrowth @ 400 kHz
versus Output Power
S
25 C
30 C
55
65
75
20
40
80
100
85
55
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 12. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
S
65
75
80
20
40
60
80
50
60
70
60
70
60
T
C
= 85 C
25 C
30 C
55
65
75
85
SR @ 600 kHz
53 W Avg.
13 W Avg.
3 W Avg.
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*