- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359217 > MRF5S9080NR1 (飛思卡爾半導體(中國)有限公司) RF Power Field Effect Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S9080NR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 16/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 753K |
| 代理商： | MRF5S9080NR1 |
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 1486-03
ISSUE C
TO-270 WB-4
PLASTIC
MRF5S9080NR1
DATUM
PLANE
BOTTOM VIEW
A1
2X
E3
D1
E1
D3
E4
A2
NOTE 7
PIN 5
NOTE 8
A
B
C
H
DRAIN LEAD
D
A
M
aaa
C
4X
b1
2X
D2
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT THE TOP OF
LEAD AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD
WHERE THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT
THE TOP OF THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS
D" AND
E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS
D" AND
E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE DETER
MINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION
“
b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE
b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE
“
J" ONLY.
8. HATCHING REPRESENTS THE EXPOSED AREA
OF THE HEAT SLUG.
c1
F
ZONE J
E2
E5
2X
A
DIM
A
A1
A2
D
D1
D2
D3
E
E1
E2
E3
E4
E5
MIN
.100
.039
.040
.712
.688
.011
.600
.551
.353
.132
.124
.270
.346
MAX
.104
.043
.042
.720
.692
.019
.559
.357
.140
.132
.350
MIN
2.54
0.99
1.02
18.08
17.48
0.28
15.24
MAX
2.64
1.09
1.07
18.29
17.58
0.48
14.2
9.07
3.56
3.35
8.89
MILLIMETERS
INCHES
14
8.97
3.35
3.15
6.86
8.79
F
b1
c1
e
aaa
.164
.007
.106 BSC
.004
.170
.011
4.17
0.18
2.69 BSC
0.10
4.32
0.28
.025 BSC
0.64 BSC
1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
GATE LEAD
4X
e
2X
E
SEATING
PLANE
4
2
3
E5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9100MR1 | CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014 |
| MRF5S9100MBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9100NBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9100NR1 | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| MRF5S9101MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S9100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9100MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9100N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MRF5S9100NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S9100NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。