參數(shù)資料
型號： MRF5S9080NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大?。?/td> 753K
代理商： MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
G
p
,
G
p
,
G
p
,
1020
16.5
19.5
860
40
80
60
19
40
18
20
0
17
20
880
900
920
940
960
980
1000
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 80 Watts CW
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
η
D
,
η
D
18.5
17.5
G
p
,
1020
18.2
19.2
860
40
60
40
19
18.6
20
0
20
880
900
920
940
960
980
1000
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 36 Watts CW
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
η
D
,
η
D
18.8
18.4
1000
14
20
1
I
DQ
= 900 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
V
DD
= 26 Vdc
f = 940 MHz
600 mA
18
17
16
15
10
100
200
13
20
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
V
DD
= 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
50
100
150
20 V
19
750 mA
450 mA
300 mA
I
DQ
= 600 mA
f = 940 MHz
19
14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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