參數(shù)資料
型號: MRF5S9080NR1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors
中文描述: 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 11/20頁
文件大?。?/td> 753K
代理商: MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
G
p
,
940
14
20
820
40
80
40
19
17
20
0
16
20
840
860
880
900
920
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 80 Watts
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
η
D
,
η
D
18
G
p
,
940
12
22
820
40
60
40
20
16
20
0
14
20
840
860
880
900
920
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 19. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 36 Watts
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 600 mA
η
D
,
η
D
18
910
0
5
850
P
out
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. EVM versus Frequency
E
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 550 mA
20 W Avg.
5 W Avg.
4
3
2
1
860
870
880
890
900
η
D
100
0
1
0
EVM
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 21. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
E
T
C
= 25 C
7
70
6
60
4
40
20
2
10
η
D
,
5
3
1
50
30
10
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 550 mA
f = 880 MHz
EDGE Modulation
15
60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray