參數(shù)資料
型號： MRF157
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MOS LINEAR RF POWER FET
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 368-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： MRF157
1
MRF157
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1995
The RF Power MOS Line
N–Channel Enhancement Mode
Designed primarily for linear large–signal output stages to 80 MHz.
Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics
Output Power = 600 Watts
Power Gain = 21 dB (Typ)
Efficiency = 45% (Typ)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
125
Vdc
Drain–Gate Voltage
125
Vdc
Gate–Source Voltage
±
40
Vdc
Drain Current — Continuous
60
Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1350
7.7
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
Tstg
TJ
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
0.13
°
C/W
NOTE —
CAUTION
— MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
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by MRF157/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
600 W, to 80 MHz
MOS LINEAR
RF POWER FET
CASE 368–03, STYLE 2
D
G
S
REV 1
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PDF描述
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MRF1570NT1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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