參數(shù)資料
型號： MRF157
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MOS LINEAR RF POWER FET
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 368-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： MRF157
MRF157
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
Pin, POWER INPUT (WATTS)
P
o
VDD = 60 V
IDQ = 2 x 800 mA
f = 30 MHz
t1 = 1 ms (See Fig. 9)
t2 = 10 ms (See Fig. 9)
Figure 8. Output Power versus Input Power
Under Pulse Conditions (2 x MRF157)
Figure 9. Thermal Response versus
Pulse Width
Figure 10. Series Equivalent Impedance
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
10–2
10–1
1
10
102
103
104
PULSE WIDTH, t (ms)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
SINGLE PULSE
R
θ
JC(t) = r(t) R
JC
R
JC = 0.13
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
r
Note: Pulse data for this graph was taken in a push–pull circuit similar
Note:
to the one shown. However, the output matching network was
Note:
modified for the higher level of peak power.
Note: To determine ZOL*, use formula
= ZOL*
(VCC
–
Vsat)2
2 Po
f = 100 MHz
2.0
4.0
7.5
15
30
60
VDD = 50 V
IDQ = 800 mA
Pout = 600 W
Zo = 10
Zin
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