參數(shù)資料
型號: MMJT9410T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 10 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 318E, 4 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 115K
代理商: MMJT9410T1
MMJT9410
http://onsemi.com
743
Figure 12. Thermal Response
0.01
0.1
0.0001
t, TIME (seconds)
1.0
0.1
0.01
r(t),
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
0.0001
0.001
10
100
1.0
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
1000
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
RqJA(t) = r(t) qJA
qJA = 165°C/W
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TA = P(pk) qJA(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
相關PDF資料
PDF描述
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MMJT9435T1 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMP7034-19-1 200 V, SILICON, PIN DIODE
MMPN-080150-C51 200 V, SILICON, PIN DIODE
MMPQ2222/S62Z 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMJT9435 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon
MMJT9435T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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