參數(shù)資料
型號： MMJT9410T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 10 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 318E, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： MMJT9410T1
MMJT9410
http://onsemi.com
741
Figure 1. Collector Saturation Region
Figure 2. Collector Saturation Region
Figure 3. DC Current Gain
100
1000
1.0
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.50
0.25
IB, BASE CURRENT (mA)
100
1000
1.0
0
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
V
CE(sat)
,COLLECT
OREMITTER
VOL
TAGE
(V)
H
0
10
0.05
0.25
1.0
,DC
CURRENT
GAIN
FE
Figure 4. DC Current Gain
Figure 5. “On” Voltages
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
1.0
V,
VOL
TAGE
(V)
Figure 6. “On” Voltages
0.75
0.10
0.15
0.20
V
CE(sat)
,COLLECT
OREMITTER
VOL
TAGE
(V)
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
H
1.0
,DC
CURRENT
GAIN
FE
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.1
0.01
1.0
V,
VOL
TAGE
(V)
IC = 3.0 A
1.2 A
0.8 A
0.25 A
0.5 A
IC = 0.25 A
1.2 A
0.8 A
0.5 A
VCE = 1.0 V
150
°C
25
°C
55
°C
VCE = 4.0 V
150
°C
25
°C
55
°C
IC/IB = 10
VBE(sat)
VCE(sat)
IC/IB = 50
VBE(sat)
VCE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMJT9410T3 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
MMJT9435T1 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMP7034-19-1 200 V, SILICON, PIN DIODE
MMPN-080150-C51 200 V, SILICON, PIN DIODE
MMPQ2222/S62Z 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMJT9410T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon
MMJT9435T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*