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參數(shù)資料
| 型號： | MMJT9410T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 10 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318E, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | MMJT9410T1 |
MMJT9410
http://onsemi.com
739
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
VCEO
30
Vdc
CollectorBase Voltage
VCB
45
Vdc
EmitterBase Voltage
VEB
6.0
Vdc
Base Current Continuous
IB
1.0
Adc
Collector Current Continuous
Collector Current Peak
IC
3.0
5.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
Total PD @ TA = 25°C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
Total PD @ TA = 25°C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
PD
3.0
24
1.7
0.75
Watts
mW/
°C
Watts
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to + 150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance Junction to Case
Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd
material
RqJC
RqJA
42
75
165
°C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
TL
260
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMJT9410T3 | 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA |
| MMJT9435T1 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMP7034-19-1 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
| MMPN-080150-C51 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
| MMPQ2222/S62Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMJT9410T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMJT9435 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon |
| MMJT9435T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMJT9435T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMJT9435T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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