參數(shù)資料
型號(hào)： MMDT5451-13
廠商： DIODES INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： MMDT5451-13
DS30171 Rev. 7 - 2
4 of 4
MMDT5451
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current (NPN5551)
V= 5V
CE
0.01
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1000
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
V
,
COLLECT
OR
T
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (PNP5401)
I
C
I
B
=10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1.0
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 8, Base Emitter Voltage vs. Collector Current (PNP5401)
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
V
= 5V
CE
1
10
100
1000
10,000
1
10
100
1000
V
= 5V
CE
h
,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7, DC Current Gain vs. Collector Current (PNP5401)
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
10
100
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
t
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 9, Gain Bandwidth Product vs Collector Current (PNP5401)
V= 10V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDT5451-TP 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT5551-13 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT5551 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMFT1N10ET1 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT1N10ET3 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDT5451-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160 / 160V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5451-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160 / 160V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5551 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5551_1 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5551_11 制造商:MCC 制造商全稱(chēng):Micro Commercial Components 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors
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