參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56WT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 67K
代理商： MMBTA56WT1
MMBTA56WT1
http://onsemi.com
4
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. BaseEmitter Temperature
Coefficient
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
q
°
,COLLECTOREMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
V
CE
100
500
0.5
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
RqVB for VBE
1.0 2.0
5.0
20
50
200
0.1
10
0.05
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
TJ = 25°C
50
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA63 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7-F 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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