參數(shù)資料
型號： MMBTA56WT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 67K
代理商： MMBTA56WT1
MMBTA56WT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
80
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ICES
0.1
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
100
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
0.25
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 2)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
50
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURNON TIME
1.0 V
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0 mF
tr = 3.0 ns
0
+10 V
5.0 ms
OUTPUT
TURNOFF TIME
+VBB
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0 mF
tr = 3.0 ns
5.0 ms
*Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors
For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
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PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MMBTA56WT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA63 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63_Q 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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