參數(shù)資料
型號： MMBTA56
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA56
DS30054 Rev. A-2
1 of 1
MMBTA55 / MMBTA56
MMBTA55 / MMBTA56
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Types Available
(MMBTA05 / MMBTA06)
Ideal for Medium Power Amplification and
Switching
Characteristic
Symbol
MMBTA55
MMBTA56
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
-60
-80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-60
-80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-4.0
V
Collector Current - Continuous (Note 1)
IC
-500
mA
Power Dissipation (Note 1)
Pd
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
RθJA
357
K/W
Operating and Storage and Temperature Range
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25
°C unless otherwise specified
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
MMBTA55 Marking: K2H, R2H
MMBTA56 Marking: K2G, R2G
Weight: 0.008 grams (approx.)
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
Note:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Base Breakdown Voltage
MMBTA55
MMBTA56
V(BR)CBO
-60
-80
V
IC = -100
A, IE = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
MMBTA55
MMBTA56
V(BR)CEO
-60
-80
V
IC = -1.0mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-4.0
V
IE = -100
A, IC = 0
Collector Cutoff Current
MMBTA55
MMBTA56
ICBO
-100
nA
VCB = -60V, IE = 0
VCB = -80V, IE = 0
Collector Cutoff Current
MMBTA55
MMBTA56
ICEX
-100
nA
VCE = -60V, IBO = 0V
VCE = -80V, IBO = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
hFE
100
IC = -10mA, VCE = -1.0V
IC = -100mA, VCE = -1.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
-0.25
V
IC = -100mA, IB = -10mA
Base- Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
-1.2
V
IC = -100mA, VCE = -1.0V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
fT
50
MHz
VCE = -1.0V, IC = -100mA,
f = 100MHz
POWER SEMICONDUCTOR
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PDF描述
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MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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