參數(shù)資料
型號： MMBTA64
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： MMBTA64
2008. 8. 29
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA63/64
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 5
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
DARLINGTON TRANSISTOR.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
*Pulse Test : Pulse Width
300 S, Duty Cycle
2.0%
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
TYPE
MMBTA63
MMBTA64
MARK
AGX
AFX
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=-0.1mA, IB=0
-30
-
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-30V, IE=0
-
-0.1
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-10V, IC=0
-
-0.1
A
DC Current Gain
MMBTA63
hFE(1)
IC=-10mA, VCE=-5V
5,000
-
MMBTA64
10,000
-
MMBTA63
hFE(2)
IC=-100mA, VCE=-5V
10,000
-
MMBTA64
20,000
-
Collector-Emitter
Saturation Voltage
MMBTA63/64
VCE(sat)
IC=-100mA, IB=-0.1mA
-
-1.5
V
Base Emitter
Voltage
MMBTA63/64
VBE
IC=-100mA, VCE=-5V
-
-2.0
V
Current Gain
Bandwith Product
MMBTA63/64
fT
IC=-10mA, f=100MHz
VCE=-5V
125
-
MHz
MARK SPEC
Type Name
Marking
Lot No.
AX
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base
Voltage
MMBTA63/64
VCBO
-30
V
Collector-Emitter
Voltage
MMBTA63/64
VCES
-30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-10
V
Collector Current
DC
IC
-500
mA
Pulse
ICP
-1
A
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
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PDF描述
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