參數(shù)資料
型號： MMBTA56
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA56
2007-04-19
1
SMBTA56/MMBTA56
1
2
3
PNP Silicon AF Transistor
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type: SMBTA06 / MMBTA06(NPN)
Pb-free (RoHS compliant) package1)
Qualified according AEC Q101
Type
Marking
Pin Configuration
Package
SMBTA56/MMBTA56
s2G
1=B
2=E
3=C
SOT23
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Collector-base voltage
VCBO
80
Emitter-base voltage
VEBO
4
Collector current
IC
500
mA
Peak collector current
ICM
1
A
Base current
IB
100
mA
Peak base current
IBM
200
Total power dissipation-
TS ≤ 79°C
Ptot
330
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction - soldering point2)
RthJS
≤ 215
K/W
1Pb-containing package may be available upon special request
2For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA63 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA64 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA64S62Z 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA56_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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