參數(shù)資料
型號： MMBTA56
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA56
2007-04-19
2
SMBTA56/MMBTA56
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
IC = 1 mA, IB = 0
V(BR)CEO
80
-
V
Collector-base breakdown voltage
IC = 100 A, IE = 0
V(BR)CBO
80
-
Emitter-base breakdown voltage
IE = 10 A, IC = 0
V(BR)EBO
4
-
Collector-base cutoff current
VCB = 80 V, IE = 0
VCB = 80 V, IE = 0 , TA = 150 °C
ICBO
-
0.1
20
A
Collector-emitter cutoff current
VCE = 60 V, IB = 0
ICEO
-
0.1
DC current gain1)
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
100
-
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
VCEsat
-
0.25
V
Base-emitter voltage1)
IC = 100 mA, VCE = 1 V
VBE(ON)
-
1.2
AC Characteristics
Transition frequency
IC = 20 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz
fT
-
100
-
MHz
Collector-base capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
Ccb
-
7
-
pF
1Pulse test: t < 300s; D < 2%
相關PDF資料
PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA63 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA64 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA64S62Z 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA56_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*