參數(shù)資料
型號： MMBTA56WT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MMBTA56WT1
MMBTA56WT1
http://onsemi.com
3
Figure 2. CurrentGain — Bandwidth Product
Figure 3. Capacitance
Figure 4. Switching Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
200
10
200
100
70
50
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
100
0.1
100
70
50
30
20
10
2.0
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
f T
,CURRENTGAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MH
z
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
2.0 3.0
5.0 7.0
20 30
50 70
30
7.0
5.0
0.2
0.5
5.0
10 20
50
TJ = 25°C
Cibo
Cobo
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
5.0
500
200
100
50
20
10
100
t,TIME
(ns)
50
200
500
1.0 k
300
700
70
30
7.0
300
70
20 30
VCC = 40 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
tr
td @ VBE(off) = 0.5 V
Figure 5. ActiveRegion Safe Operating Area
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
50
1.0
500
200
100
50
20
10
20
2.0
5.0
1.0 k
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(mA)
1.0 ms
1.0 s
TA = 25°C
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
100 ms
TC = 25°C
3.0
7.0
30
100
70
30
70
300
700
Figure 6. DC Current Gain
2.0
500
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
1.0
5.0
VCE = 1.0 V
20
100
50
200
h
FE
25°C
55°C
Figure 7. “ON” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
10
500
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
0.5
2.0
5.0
200
20
50
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PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBTA63 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63_Q 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA63-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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