參數(shù)資料
型號(hào): MMBT6520LT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 74K
代理商: MMBT6520LT3
MMBT6520LT1
http://onsemi.com
4
Figure 7. TurnOff Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
t,TIME
(ns)
10k
100
200
300
500
700
1.0k
2.0k
3.0k
5.0k
7.0k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
Figure 8. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
10k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
t, TIME (ms)
Figure 9. Thermal Response
+10.8 V
9.2 V
+VCC
2.2 k
20 k
50
50 W SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
VCC ADJUSTED
FOR VCE(off) = 100 V
APPROXIMATELY
1.35 V
(ADJUST FOR V(BE)off = 2.0 V)
PULSE WIDTH ≈ 100 ms
tr, tf ≤ 5.0 ns
DUTY CYCLE ≤ 1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
ZqJC(t) = r(t) RqJC
ZqJA(t) = r(t) RqJA
RqJC(t) = r(t) RqJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RqJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT7002 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
MMBT8599LT3 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT8599LT1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT9012D 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012G 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6520LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6521LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6521LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6589T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT7002K 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: