參數(shù)資料
型號： MMBT7002
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 104K
代理商： MMBT7002
MMBT7002
MMBT7002
N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Kanal Feldeffekt Transistor - Anreicherungstyp
N
Version 2011-02-01
Dimensions - Mae [mm]
1 = G
2 = S
3 = D
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT7002
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDSS
60 V
Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung
RGS ≤ 1 MΩ
VDGR
60 V
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
dc
tp < 50 s
VGSS
± 20 V
± 40 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW
Drain current continuos – Drainstrom (dc)
ID
115 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
IDM
800 mA
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
150°C
-55…+150°C
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
5
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1
0.4
2.9 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT8599LT3 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT8599LT1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBT9012G 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012H 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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