參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT9012D
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： MMBT9012D
UTC MMBT9012
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R206-020,A
1W OUTPUT AMPLIFIER OF
POTABLE RADIOS IN CLASS B
PUSH-PULL OPERATION
FEATURES
*High total power dissipation. (625mW)
*High collector current. (-500mA)
*Excellent hFE linearity
*Complementary to UTC MMBT9013
MARKING
SOT-23
1
2
3
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-base voltage
VCBO
-40
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-20
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
Ic
-500
mA
Collector dissipation
Pc
225
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
Ic=-100
A,IE=0
-40
V
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
Ic=-1mA,IB=0
-20
V
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
IE=-100
A, Ic=0
-5
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB=-25V,IE=0
-100
nA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB=-3V,IC=0
-100
nA
DC current gain
hFE1
hFE2
VCE=-1V,Ic=-50mA
VCE=-1V,Ic=-500mA
64
40
120
90
300
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
Ic=-500mA,IB=-50mA
-0.18
-0.6
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
Ic=-500mA,IB=-50mA
-0.95
-1.2
V
Base-emitter on voltage
VBE(on)
VCE=-1V,Ic=-10mA
-0.6
-0.67
-0.7
V
12
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PDF描述
MMBT9012G 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012H 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012F 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012E 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9013L-H-AE3-R 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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