參數(shù)資料
型號： MMBT9012H
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MMBT9012H
UTC MMBT9012
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R206-020,A
1W OUTPUT AMPLIFIER OF
POTABLE RADIOS IN CLASS B
PUSH-PULL OPERATION
FEATURES
*High total power dissipation. (625mW)
*High collector current. (-500mA)
*Excellent hFE linearity
*Complementary to UTC MMBT9013
MARKING
SOT-23
1
2
3
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-base voltage
VCBO
-40
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-20
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
Ic
-500
mA
Collector dissipation
Pc
225
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
Ic=-100
A,IE=0
-40
V
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
Ic=-1mA,IB=0
-20
V
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
IE=-100
A, Ic=0
-5
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB=-25V,IE=0
-100
nA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB=-3V,IC=0
-100
nA
DC current gain
hFE1
hFE2
VCE=-1V,Ic=-50mA
VCE=-1V,Ic=-500mA
64
40
120
90
300
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
Ic=-500mA,IB=-50mA
-0.18
-0.6
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
Ic=-500mA,IB=-50mA
-0.95
-1.2
V
Base-emitter on voltage
VBE(on)
VCE=-1V,Ic=-10mA
-0.6
-0.67
-0.7
V
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT9012F 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9012E 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9013L-H-AE3-R 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9013L-G-AE3-R 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9013L-F-AE3-R 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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