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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT7002 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | MMBT7002 |
MMBT7002
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 10 A
BVDSS
60 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
G short
VDS = 60 V
IDSS
1 A
Gate-Body leakage current – Gate-Substrat-Leckstrom
VGS = 20 V
±IGSS
100 nA
Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS, ID = 250 A
VGS(th)
1 V
2.5 V
Drain-Source on-voltage – Drain-Source-Spannung
VGS = 10 V, ID = 500 mA
VGS = 5 V, ID = 50 mA
VDS(on)
3.75 V
1.5 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V, ID = 500 mA
RDS(on)
7.5 Ω
Forward Transconductance – bertragungssteilheit
VDS ≥ 10 VDS(on), ID = 200 mA
gFS
80 mS
Input Capacitance – Eingangskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Ciss
50 pF
Output Capacitance – Ausgangskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Coss
25 pF
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Crss
5 pF
Turn-On Time – Einschaltzeit
VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω
ton
20 ns
Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzgerung
VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω
toff
20 ns
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT8599LT3 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT8599LT1 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT9012D | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9012G | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9012H | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT7002K | 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: |
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| MMBT8099LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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