參數(shù)資料
型號(hào): MMBT6520LT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商: MMBT6520LT3
MMBT6520LT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
200
100
20
30
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
55 °C
Figure 2. CurrentGain — Bandwidth Product
Figure 3. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
100
20
30
50
70
f,
CURRENTGAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
0.4
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
2.5
R
V,
TEMPERATURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RqVC for VCE(sat)
RqVB for VBE
25°C to 125°C
55 °C to 25°C
55 °C to 125°C
IC
IB
+ 10
Figure 4. Temperature Coefficients
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
2.0
3.0
5.0
70
1.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
7.0
10
20
30
50
TJ = 25°C
Ccb
Ceb
Figure 5. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
t,TIME
(ns)
1.0k
20
10
30
50
70
100
200
300
500
700
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
Figure 6. TurnOn Time
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