參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： MJD127-1
MJD122 MJD127
http://onsemi.com
4
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
*IC/IB ≤ hFE/3
0.1
-55°C to 25°C
12
3
10
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
+0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
-0.2 -0.4 -0.6
TJ = 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
VCE = 30 V
105
+0.6
+0.2
-0.8
-1
-1.2 -1.4
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
105
+5
-5
θVB for VBE 25°C to 150°C
θVC for VCE(sat)
Figure 5. Temperature Coefficients
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
30
1
5
20
100
TJ = 25°C
300
50
70
100
0.1
2
10
50
PNP
NPN
0.5
0.2
Figure 6. Collector Cut–Off Region
Figure 7. Small–Signal Current Gain
1
f, FREQUENCY (kHz)
100
210
500
5000
TC = 25°C
VCE = 4 Vdc
IC = 3 Adc
3000
550
20
100
10,000
200
300
200
500 1000
PNP MJD127
NPN MJD122
-4
-3
-2
-1
0
+4
+3
+2
+1
0.5
0.3
7
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
0.1
1
2
3
0.5
0.3
7
5
2000
1000
10
50
20
30
PNP
NPN
200
Figure 8. Capacitance
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
+5
-5
-4
-3
-2
-1
0
+4
+3
+2
+1
0.7
10
0
-0.4
+0.2 +0.4 +0.6
-0.6
-0.2
+0.8
+1 +1.2 +1.4
h fe
,SMALL-SIGNAL
CURRENT
GAIN
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
-55°C to 25°C
25°C to 150°C
*IC/IB ≤ hFE/3
25°C to 150°C
-55°C to 25°C
25°C to 150°C
-55°C to 25°C
*θVC for VCE(sat)
θVB for VBE
REVERSE
FORWARD
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
Cob
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
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MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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