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參數(shù)資料
| 型號： | MJD127-1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 369-07, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | MJD127-1 |
Complementary Darlington
Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series,
TIP120–TIP122 Series, and TIP125–TIP127 Series
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Complementary Pairs Simplifies Designs
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MJD122
MJD127
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
8
16
Adc
Base Current
IB
120
mAdc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
20
0.16
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation* @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
1.75
0.014
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–65 to +150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
6.25
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
RθJA
71.4
_C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
November, 2001 – Rev. 5
1
Publication Order Number:
MJD122/D
MJD122
MJD127
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
8 AMPERES
100 VOLTS
20 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
*
NPN
PNP
*
0.243 6.172
0.063 1.6
0.1
18
3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
0.190 4.826
inches
mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD253-1 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD127G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD127T4 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD127T4G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD127TF | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD127-TP | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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