參數(shù)資料
型號： MJD127-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 51K
代理商： MJD127-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD127
PNP Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
- 100
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
- 100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
- 5
V
IC
Collector Current (DC)
- 8
A
ICP
Collector Current (Pulse)
- 16
A
IB
Base Current
- 120
mA
PC
Collector Dissipation (TC=25°C)
20
W
Collector Dissipation (Ta=25°C)
1.75
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
VCEO(sus)
*Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = - 30mA, IB = 0
- 100
V
ICEO
Collector Cut-off Current
VCE = - 50V, IB = 0
- 10
A
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB = - 100V, IE = 0
- 10
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = - 5V, IC = 0
- 2
mA
hFE
*DC Current Gain
VCE = - 4V, IC = - 4A
VCE = - 4V, VEB = -8A
1000
100
12K
VCE(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = - 4A, IB = - 16mA
IC = - 8A, IB = - 80mA
- 2
- 4
V
VBE(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
IC = - 8A, IB = - 80mA
- 4.5
V
VBE(on)
*Base-Emitter ON Voltage
VCE = -4V, IC = - 4A
- 2.8
V
Cob
Output Capacitance
VCB = - 10V, IE = 0
f= 0.1MHz
300
pF
MJD127
D-PAK for Surface Mount Applications
High DC Current Gain
Built-in a Damper Diode at E-C
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP127
Complement to MJD122
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
R18k
R20.12k
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD253-1 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD148-2 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJD128 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*