參數(shù)資料
型號： MJD127-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MJD127-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD127
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.1
-1
-10
100
1k
10k
VCE = -4V
h
FE
,DC
CU
RRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
LT
A
G
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
VCC= -30V
IC= 250IB
IB1= IB2
tD, VBE(off)=0
tR
t R
,t
D
[
s
],
TU
R
N
O
N
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
0.1
1
10
VCC= -30V
IC=250IB
IB1=IB2
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s
],
TU
R
N
O
FF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
500
s
5m
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CURRE
NT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD253-1 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD148-2 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJD128 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*