參數(shù)資料
型號： MJD148-2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 73K
代理商： MJD148-2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
May, 2002 – Rev. 1
1
Publication Order Number:
MJD148/D
MJD148
Preferred Device
NPN Silicon Power
Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel
(“T4” Suffix)
High Gain — 50 Min @ I
C = 2.0 Amps
Low Saturation Voltage — 0.5 V @ I
C = 2.0 Amps
High Current Gain–Bandwidth Product — f
T = 3.0 MHz Min @
IC = 250 mAdc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
45
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
45
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
4
7
Adc
Base Current
IB
50
mAdc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
20
0.16
Watts
W/
°C
Total Power Dissipation (Note 1)
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.75
0.014
Watts
W/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
6.25
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
RqJA
71.4
°C/W
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes
recommended.
2 AMPERES
1000 VOLTS
50 WATTS
POWER TRANSISTOR
MARKING
DIAGRAMS
Y
= Year
WW
= Work Week
MJD18002 = Device Code
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MJD148–2
DPAK
3000/Tape & Reel
DPAK
CASE 369A
STYLE 1
YWW
MJD
148
http://onsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD148T4 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MTD3055ET4 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD8N06ET4 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20T4 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD148T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD148T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD18002D2 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor
MJD18002D2T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD18002D2T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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