參數(shù)資料
型號(hào)： MJD148-2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 73K
代理商： MJD148-2
MJD148
http://onsemi.com
3
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.1
0.004
3
1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
4
5
2
0.3
0.2
0.007
0.02
0.05
0.03
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
TJ = 150°C
= 25
°C
VCE = 2 V
VCE = 10 V
–55
°C
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
2
0
0.05
1.6
1.2
0.1
1
2
3
5
10
20
30
500
0.8
0.4
0.07
0.2
0.5
0.3
TJ = 25°C
IC = 10 mA
0.7
7
50
70 100
200 300
100 mA
1 A
3 A
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
MJD148T4 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MTD3055ET4 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD8N06ET4 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20T4 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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參數(shù)描述
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MJD148T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJD18002D2T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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