參數(shù)資料
型號(hào)： MJD148-2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： MJD148-2
MJD148
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Test Conditions
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
IC = 100 mAdc, IB = 0
VCEO(sus)
45
–
Vdc
Collector Cutoff Current
VCB = 45 Vdc, IE = 0
ICBO
–
20
mAdc
Emitter Cutoff Current
VBE = 5 Vdc, IC = 0
IEBO
–
1
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 2)
IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc
IC = 0.5 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 3 Adc, VCE = 1 Vdc
hFE
40
85
50
30
–
375
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 2)
IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc
VCE(sat)
–
0.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage (Note 2)
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
VBE(on)
–
1.1
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product
IC = 250 mAdc, VCE = 1 Vdc, f = 1 MHz
fT
3
–
MHz
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD148T4 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MTD3055ET4 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD8N06ET4 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20T4 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD4N20 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD148T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD148T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD18002D2 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor
MJD18002D2T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD18002D2T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*