參數(shù)資料
型號: MJD253-1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: CASE 369-05, DPAK-3
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 33K
代理商: MJD253-1
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PDF描述
MJD148-2 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD253T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD253T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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