參數(shù)資料
型號： MJD127-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 133K
代理商： MJD127-1
MJD122 MJD127
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
100
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ICEO
—
10
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
10
Adc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
2
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc)
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
hFE
1000
100
12,000
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4 Adc, IB = 16 mAdc)
(IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
VCE(sat)
—
2
4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
VBE(sat)
—
4.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc)
VBE(on)
—
2.8
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
|hfe|
4
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
MJD127
MJD122
Cob
—
300
200
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
hfe
300
—
—
(1) Pulse Test: Pulse Width
v 300 s, Duty Cycle v 2%.
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
Figure 1. Power Derating
25
T, TEMPERATURE (°C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC
相關PDF資料
PDF描述
MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD253-1 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127G 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4 功能描述:達林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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