參數(shù)資料
型號： MJD127-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 133K
代理商： MJD127-1
MJD122 MJD127
http://onsemi.com
3
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
0.1
0.7
3000
0.5
1
20,000
1000
23
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
35
2
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
3
2.5
1
0.5
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20 30
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
PNP MJD127
NPN MJD122
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
TJ = 150°C
7000
0.1
0.7
25°C
-55°C
3000
0.5
1
20,000
700
1000
23
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
35
4 A
IC = 2 A
2
TJ = 25°C
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
3
2.5
1
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20 30
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. “On” Voltages
200
300
0.3
7 10
0.7
0.5
7
2
10
6 A
VCE = 4 V
TJ = 150°C
25°C
-55°C
TJ = 25°C
4 A
IC = 2 A
6 A
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 4 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD253-1 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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